近期，瀚天天成公司在意大利召开的碳化硅及相关材料国际会议上（ICSCRM 2015，2015年10月3~10日）报道了自主研发的最新SiC外延生长基面位错（Basal plane dislocation，BPD）抑制技术，首次在4英寸SiC外延晶片产品上实现零基面位错（BPD free）。
6月17日，2015年厦门“农商银行杯”小微企业创业创新大赛决赛在厦门金雁酒店举行，10家企业经过初步筛选、初赛以及复赛的选拔之后进入了决赛。
6月12日，在厦门市委书记王蒙徽、市长刘可清的陪同下，由福建省委书记尤权、省长苏树林率领的省委省政府工作检查小组在厦门展开工作检查，瀚天天成作为厦门国家火炬高技术产业开发区的企业代表接受省委省政府检查小组的检查与指导。
5月29日，我司在厦门火炬高新区（翔安）产业园召开了6英寸碳化硅外延晶片新产品发布会。
我司将参加2014年5月25-27日在瑞典斯德哥尔摩举行的国际碳化硅电力电子应用研讨会（Inernational SiC Power Electronics Applications Workshop）。
