News Detail

罗姆在“CEATEC JAPAN 2014”(10月7~11日于幕张MESSE国际会展中心)上,展出了该公司开发的SiC MOSFET的应用事例。在用于加速器、等离子体发生器及医用X线系统等的高压脉冲发生器中,比如用于线性加速器时,“使用Klystron真空管时为1.6km的加速器,使用SiC后,将来能够缩短至6m”(解说员)


此次展出的电压脉冲发生器“SiC-Pulser系列”的输入是电源装置输出的高压直流电,通过SiC MOSFET进行斩波处理后输出高压脉冲。据介绍,可在60ns以内的升降时间内输出最大320kV的高压脉冲。脉冲的反复频率最大为2MHz。解说员介绍说,对这一高压实施高速开关的处理“用Si难以实现,正是因为采用了SiC才得以实现”。

 

SiC-Pulser系列由福岛SiC应用技研制造并销售。利用了JST京都Super Cluster Program、罗姆、京都Neutronics三方的共同研究成果“超高耐压伪N沟道SiC-MOSFET”技术。
   

SiC MOSFET由罗姆制造,耐压为1.2kV。由7个这样的MOSFET串联成1个确保8.4kV耐压的模块。此次将4个这样的模块连接起来,实现了直流32kV的脉冲额定电压。罗姆对32kV产品的定位是“面向普通工业用途”,另外还准备了采用更多模块的320kV产品。

                                                   

来源:日经电子