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2018年3月27日,由瀚天天成公司牵头编写的《碳化硅外延层载流子浓度测定—汞探针电容—电压法》(T/IAWBS 003-2017)标准发布与宣贯会在北京顺利召开。此次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟组织,来自全国宽禁带功率半导体产业链上下游的瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团第五十五所等单位的代表参加了会议。北京市经信委、北京市质监局等部门领导出席了会议,并发表重要讲话。

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近年来,中国碳化硅半导体产业技术逐步成熟,从材料、器件、模块到应用终端,已经形成了一条完整的产业链。碳化硅同质外延片作为该产业链的重要一环,对碳化硅器件的制备具有关键的作用。作为衡量碳化硅半导体外延晶片品质的关键参数,碳化硅外延层载流子浓度的测定方法目前在国内外尚未形成统一的标准。此次《碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容—电压法》成功列入国家团体标准,不仅填补了国内该标准的空白,更将为规范我国碳化硅半导体材料行业、促成其健康有序的发展提供强有力的支撑作用。

与传统的硅电力电子器件相比,碳化硅电力电子器件耐高温(工作温度和环境温度)、抗辐射、具有较高的击穿电压和工作频率,适于在恶劣条件下工作。目前已使用的碳化硅电力电子器件可降低能耗50%以上,由此大幅降低各项设备系统的整机成本并提高系统可靠性,可广泛应用于国民经济各个领域,如变频电机、家用电器、太阳能及风力发电、混合及纯电动汽车、高铁、智能电网、航天航空等。碳化硅半导体材料以其优异的半导体性能,已经成为国际公认的将引领电力电子,特别是大功率电力电子,下一个五十年最佳的电子材料。

  一流的企业做标准,二流的企业做品牌,三流的企业做产品。近年来,瀚天天成公司积极参与碳化硅半导体行业内标准的制定工作,对铸造“瀚天”品牌、提升企业形象、树立行业技术权威性等方面具有积极的推动意义!