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10月24日,SEMI 中国在南京古南都饭店举办了“中国国际功率半导体论坛2017”(China Power Semiconductor International Conference 2017),来自海内外功率半导体领域的众多专家、学者、企业家齐聚一堂,共商盛世,会议座无虚席。此次论坛主要围绕新型功率半导体、宽禁带半导体GaN、SiC器件的技术发展趋势及应用等重要话题展开激烈讨论和深度交流。


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瀚天天成总经理冯淦博士应邀出席了此次论坛,并在会上作了题为“碳化硅功率半导体外延生长技术进展”的演讲报告,报告就SiC材料特性、 瀚天天成公司在碳化硅半导体外延晶片生长技术取得的技术进展、市场反馈情况,以及外延技术突破对碳化硅半导体器件积极推进作用等方面进行了全方位的阐述和分享,演讲获得与会嘉宾的高度认可和热烈掌声。通过此次论坛的交流与分享,业内人士对瀚天天成公司外延晶片产品、技术团队等方面有了更深入的了解,此行对公司品牌的推广和市场的拓展具有积极的推进作用。


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绿色低碳、万物互联、智能制造已成为全球共识,为SiC功率半导体器件提供了广阔的应用空间和市场机遇。当下,在推动传统电网向半导体电网发展、提高轨道交通和新能源汽车的功率和成本降低等方面,碳化硅半导体器件所表现出的优异特性已经得到了业内人士的广泛认可。


根据国际权威行业预测机构报告显示,2016年全球SiC电力电子市场规模在2.1-2.4亿美元之间,预计2016-2021年的复合增长率将达到19%。


历经蛰伏,碳化硅功率半导体的曙光在望!