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2017年9月17-22日,为期6天的碳化硅半导体行业最重要的、两年一届的国际碳化硅年会(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017)在美国首都华盛顿隆重举行。来自世界各国的碳化硅半导体企业、高校、研究机构超过600多人参加了年会。其中,中国参展企业包括我司及衬底生产商北京天科合达。本次年会的主题是:碳化硅(SiC)材料和器件从小众到主流!

年会上展出了全球最新的碳化硅研究结果和转化成果,来自世界各地的碳化硅领域顶尖专家、工程师、学者及企业家齐聚一堂,共同分享了碳化硅的最前沿信息。产业论坛上,大会组织与会代表针对碳化硅新材料和新设备所面临的挑战、碳化硅技术解决方案、碳化硅新材料的推广和应用等多方面进行了全方位的交流和讨论。

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为了在此次SiC盛会上取得最大的成效,我司技术和销售团队提前进行了精心的筹备工作。在大会期间,公司团队成员发表了2份报告,着重介绍了公司6英寸SiC外延晶片的最新进展情况,引起了业界人士的高度关注。

我司技术团队,通过工艺调试与优化,得到了稳定的6英寸4H-SiC外延工艺,并进行了批量性的生长,产品涵盖600V~1700V用4H-SiC电力电子器件。目前,我司 6英寸外延片已交付客户使用,产品品质得到了客户的一致好评。我们统计了300片6英寸碳化硅外延晶片具体参数,其中平均厚度均匀性为1.34%,平均浓度均匀性为3.90%,表面致命性缺陷平均密度为0.52/cm2(2mmx2mm管芯平均良率为97.79%。各项技术指标均达到国际先进水平)。

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结合市场发展的需要,我司团队还开发了厚膜6英寸4H-SiC外延工艺,主要应用于5000V以上器件,具体的工艺参数结果如下:

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在展会期间,团队成员与多家国际知名企业进行了商务洽谈,拓展了客户群。此外,团队成员还与国际供应商进行了深入的交流和沟通,以确保公司未来衬底原材料的稳定供应。

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