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2016年925-29日,为期5天的第11届欧洲碳化硅年会在神话古国希腊举行。我司团队在总经理的带领下前往希腊参加此次盛会,同时向国际客商展出了自主研发生产的碳化硅外延晶片产品。欧洲碳化硅年会每两年举办一届,在欧洲各主要国家巡回举办,此次是该年会时隔20年后重返希腊举行。来自世界各国的碳化硅半导体业界商务人士、专家和学者齐聚一堂,分享最新科技研发和应用成果,感受全球碳化硅发展强有力的“脉搏跳动”。


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展台区域,各大国际碳化硅相关半导体厂家和研究机构都展出了最新的研究成果和产品,与会的企业包括 Wolfspeed(原Cree碳化硅事业部), Infineon, II-VI, Dow Corning, Showa Denko, Aixtron, LPE, KLA-Tencor, Lasertec 等。

展览会期间,众多的新老客商光临了我司展台,与公司团队代表进行商务磋商。


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会议期间,公司总经理冯淦博士向与会人员介绍了公司自主研发的最新SiC外延生长层错(IGSFs)抑制技术。这一最新研发成果在会上获得业界人士的高度关注和认可。此项技术突破是继基面位错(BPDs)抑制技术研发成功后的又一大外延生长技术突破,对SiC外延质量的提升具有重大意义。

外延层错(IGSF)对于碳化硅器件的性能和可靠性影响很大。近两年来,我司技术团队经过反复试验,研究发现:通过改善衬底表面质量和外延生长工艺优化,能对外延层里的层错进行有效抑制。公司采用自主研发的层错抑制技术,首次批量实现6英寸SiC外延晶片产品中的层错密度由5 cm-2下降到1 cm-2


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